三星將在3nm工藝上第一次應(yīng)用GAAFET（環(huán)繞柵極場效應(yīng)晶體管）技術(shù)，再次實(shí)現(xiàn)了晶體管結(jié)構(gòu)的突破，比現(xiàn)在的FinFET立體晶體管又是一大飛躍。

　　GAAFET技術(shù)又分為兩種類型，一是常規(guī)GAAFET，使用納米線（nanowire）作為晶體管的鰭（fin），二是MBCFET（多橋通道場效應(yīng)晶體管），使用的鰭更厚更寬一些，稱之為納米片（nanosheet）。

　　三星的第一顆3nm SRAM芯片用的就是MBCFET，容量256Mb，面積56平方毫米，最令三星驕傲的就是超低功耗，寫入電壓只需要區(qū)區(qū)0.23V，這要感謝MBCFET的多種省電技術(shù)。

　　按照三星的說法，3GAE工藝相比于其7LPP，可將晶體管密度增加最多80％，性能提升最多30％，或者功耗降低最多50％。

　　或許，這可以讓三星更好地控制芯片功耗、發(fā)熱，避免再出現(xiàn)所謂的“翻車”。

　　三星3nm預(yù)計(jì)明年投入量產(chǎn)，但尚未公布任何客戶。